Японская компания Elpida Memory, один из мировых лидеров в области производства динамической памяти (DRAM), смогла разработать самый маленький чип памяти DRAM DDR3 емкостью 4 Гб, используя при этом технологический процесс 25-нанометрового класса.
По словам разработчиков, созданные 25-нм микросхемы отличаются от 30-нм DRAM-аналогов на 20-30% меньшим током нагрузки в рабочем режиме, а экономия в режиме ожидания достигает 50%. Помимо преимуществ в эффективности питания, производительность новых 4-гигабитных чипов Elpida на 45% выше по сравнению с решениями на основе 30-нм техпроцесса. Представленные микросхемы DRAM-памяти поддерживают частоту 1866 МГц и рабочее напряжение 1,35 и 1,5 вольт. Elpida сообщает, что пробное и серийное производство новых изделий запланировано на конец 2011 года.
Днем ранее южнокорейский промышленный гигант, компания Samsung Electronics, объявила о начале массового производства первых в мире микросхем памяти DDR3 DRAM, выполненных с соблюдением техпроцесса 20-нм класса. Производство стартовало на фабрике Line-16, которую Samsung называет самой большой в мире.
По материалам DigiTimes
