Samsung начинает 60 нм производство памяти DRAM

Samsung Electronics сообщила, что ею начато массовое 60-нм производство гигабитных чипов памяти стандарта DDR2. Использование нового техпроцесса позволит увеличить эффективность производства на 40 % по сравнению с 80 нм.

Производство гигабитных чипов памяти призвано удовлетворить увеличившийся после выхода Windows Vista спрос на модули объемом 512 Мб, 1 Гб и 2 Гб. Будем надеяться, что это отразится и на снижении стоимости памяти стандарта DDR2.