Toshiba начинает разработку нового поколения флэш-памяти

Компания Toshiba сообщила о разработке второго поколения микросхем памяти NAND flash, изготовленных с применением 19-нм технологических норм. Ячейки памяти, хранящие два бита данных, имеют площадь в 94 кв. мм, что позволяет этим чипам называться самыми плотными на рынке.

При этом производитель заявляет скорость записи на уровне 25 Мб/с - самый высокий показатель в своем классе.

В Toshiba обещают начать серийное производство новой памяти в исполнении 64-гигабитных чипов в конце мая 2013 года. Кроме того, во втором квартале компания займется выпуском аналогичной флэш-памяти с возможностью записи трех бит в ячейку.

Микросхемы памяти с использованием второго поколения 19-нм процесса найдут применение в смартфонах и планшетах. В будущем такие продукты появятся и на рынке компьютеров, в том числе в новых твердотельных накопителях (SSD).

В первом квартале выручка Toshiba от продажи флэш-памяти выросла на 2,3% в годовом выражении, составив 1,5 млрд долларов, с учетом чего под контролем японского чипмейкера оказалось 28,9% рынка NAND flash. Лидером остается Samsung, чья доля уменьшилась с 38,7% до 37,2%. Упали и продажи - на 5,9%, до 1,93 млрд долларов (данные DRAMeXchange).