Японская компания Elpida Memory, один из мировых лидеров в области производства динамической памяти (DRAM), смогла разработать самый маленький чип памяти DRAM DDR3 емкостью 4 Гб, используя при этом технологический процесс 25-нанометрового класса.
По словам разработчиков, созданные 25-нм микросхемы отличаются от 30-нм DRAM-аналогов на 20-30% меньшим током нагрузки в рабочем режиме, а экономия в режиме ожидания достигает 50%. Помимо преимуществ в эффективности питания, производительность новых 4-гигабитных чипов Elpida на 45% выше по сравнению с решениями на основе 30-нм техпроцесса. Представленные микросхемы DRAM-памяти поддерживают частоту 1866 МГц и рабочее напряжение 1,35 и 1,5 вольт. Elpida сообщает, что пробное и серийное производство новых изделий запланировано на конец 2011 года.
Днем ранее южнокорейский промышленный гигант, компания Samsung Electronics, объявила о начале массового производства первых в мире микросхем памяти DDR3 DRAM, выполненных с соблюдением техпроцесса 20-нм класса. Производство стартовало на фабрике Line-16, которую Samsung называет самой большой в мире.

По материалам DigiTimes
Сахифани кўриш статистикаси:
- бу ой (Декабр 2025) - 3;
- ўтган ой (Ноябр 2025) - 1;
- оxирги 3 ой (Сентябр 2025 - Ноябр 2025) - 5;
- оxирги йил (Декабр 2024 - Ноябр 2025) - 6;